Schottky-barrier diode - traducción al ruso
Diclib.com
Diccionario ChatGPT
Ingrese una palabra o frase en cualquier idioma 👆
Idioma:

Traducción y análisis de palabras por inteligencia artificial ChatGPT

En esta página puede obtener un análisis detallado de una palabra o frase, producido utilizando la mejor tecnología de inteligencia artificial hasta la fecha:

  • cómo se usa la palabra
  • frecuencia de uso
  • se utiliza con más frecuencia en el habla oral o escrita
  • opciones de traducción
  • ejemplos de uso (varias frases con traducción)
  • etimología

Schottky-barrier diode - traducción al ruso

DIODE WITH A LOW FORWARD VOLTAGE DROP, FORMED BY A SEMICONDUCTOR–METAL JUNCTION
Schottky barrier diode; Schottky Barrier Diode; Silicon carbide diode; Schotky doide; Shottky diode
  • 1N5819]])<ref name=SS14/>
  • 1N5822 Schottky diode with cut-open packaging. The semiconductor in the center makes a [[Schottky barrier]] against one metal electrode (providing rectifying action) and an [[ohmic contact]] with the other electrode.
  • 110px

Schottky barrier diode         

общая лексика

диод с барьером Шоттки

Schottky barrier diode         
диод с барьером Шоттки
Schottky-barrier diode      

общая лексика

диод с барьером Шоттки

Definición

Светоизлучающий диод

светодиод, полупроводниковый прибор (См. Полупроводниковые приборы), преобразующий электрическую энергию в энергию оптического излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции (См. Электролюминесценция) (в полупроводниковом кристалле с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход), полупроводниковым гетеропереходом (См. Полупроводниковый гетеропереход) либо контактом металл - полупроводник). В С. д. при протекании в нём постоянного или переменного тока в область полупроводника, прилегающую к такому переходу (контакту), инжектируются избыточные носители тока - электроны и дырки; их Рекомбинация сопровождается оптическим излучением. С. д. испускают некогерентное излучение, но, в отличие от тепловых источников света, - с более узким спектром, вследствие чего излучение в видимой области воспринимается как одноцветное. Цвет излучения зависит от полупроводникового материала и его легирования. Применяются соединения типа AIII BV и некоторые другие (например, GaP, GaAs, SiC), а также твёрдые растворы (например, GaAs1-xPx, AlxGa1-xAs, Ga1-xlnxP). В качестве легирующих примесей используются: в GaP-Zn и О (красные С. д.) либо N (зелёные С. д.), в GaAs-Si либо Zn и Te (инфракрасные С. д.). Полупроводниковому кристаллу С. д. обычно придают форму пластинки или полусферы.

Яркость излучения большинства С. д. находится на уровне 103 кд/м2, у лучших образцов С. д. - до 105 кд/м2. Кпд С. д. видимого излучения составляет от 0,01\% до нескольких процентов. В С. д. инфракрасного излучения с целью снижения потерь на полное внутреннее отражение и поглощение в теле кристалла для последнего выбирают полусферическую форму, а для улучшения характеристик направленности излучения С. д. помещают в параболический или конический отражатель. Кпд С. д. с полусферической формой кристалла достигает 40\%.

Промышленность выпускает С. д. в дискретном и интегральном исполнении. Дискретные С. д. видимого излучения используют в качестве сигнальных индикаторов; интегральные (многоэлементные) приборы - светоизлучающие цифро-знаковые индикаторы, профильные шкалы, многоцветные панели и плоские экраны - применяют в различных системах отображения информации (см. Отображения информации устройство), в электронных часах (См. Электронные часы) и калькуляторах. С. д. инфракрасного излучения находят применение в устройствах оптической локации (См. Оптическая локация), оптической связи (См. Оптическая связь), в Дальномерах и т. д. (см. также Оптоэлектроника), матрицы таких С. д. - в устройствах ввода и вывода информации ЭВМ. В ряде областей применения С. д. конкурирует с родственным ему прибором - инжекционным лазером (см. Полупроводниковый лазер), который генерирует когерентное излучение и отличается от С. д. формой кристалла и режимом работы.

Лит.: Берг А., Дин П., Светодиоды, пер. с англ., "Тр. института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике", 1972, т. 60, № 2.

П. Г. Елисеев.

Wikipedia

Schottky diode

The Schottky diode (named after the German physicist Walter H. Schottky), also known as Schottky barrier diode or hot-carrier diode, is a semiconductor diode formed by the junction of a semiconductor with a metal. It has a low forward voltage drop and a very fast switching action. The cat's-whisker detectors used in the early days of wireless and metal rectifiers used in early power applications can be considered primitive Schottky diodes.

When sufficient forward voltage is applied, a current flows in the forward direction. A silicon p–n diode has a typical forward voltage of 600–700 mV, while the Schottky's forward voltage is 150–450 mV. This lower forward voltage requirement allows higher switching speeds and better system efficiency.

¿Cómo se dice Schottky barrier diode en Ruso? Traducción de &#39Schottky barrier diode&#39 al Ruso